Canale N 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (8x8) HV
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SCTL90N65G2V

Codice DigiKey
497-SCTL90N65G2VTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-SCTL90N65G2VCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
SCTL90N65G2V
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (8x8) HV
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCTL90N65G2V Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
24mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3380 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
935W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerFlat™ (8x8) HV
Contenitore/involucro
4-PowerVDFN
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In magazzino: 2 847
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 24,97000€ 24,97
10€ 19,10100€ 191,01
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 15,60607€ 46 818,21
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 24,97000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 30,46340
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