
NTMT045N065SC1 | |
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Codice DigiKey | 5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMT045N065SC1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 55 A (Tc) 187W (Tc) A montaggio superficiale 4-TDFN (8x8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 50mohm a 25A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 4,3V a 8mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 105 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1870 pF @ 325 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 187W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 4-TDFN (8x8) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 10,82000 | € 10,82 |
| 10 | € 7,54500 | € 75,45 |
| 100 | € 6,53580 | € 653,58 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 5,33972 | € 16 019,16 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 10,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 13,20040 |



