SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics | FET, MOSFET singoli

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STMicroelectronics

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Prezzo unitario : € 9,69000

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SCTH90N65G2V-7
Codice DigiKey	497-18352-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-18352-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-18352-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCTH90N65G2V-7
Descrizione	SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 90 A (Tc) 330W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCTH90N65G2V-7 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 1mA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 157 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -10V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3300 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc)	Contenitore del fornitore H2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 50A, 18V	Codice componente base SCTH90

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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SCTH90N65G2V-7