Canale N 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Foro passante HiP247™
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SCT50N120

Codice DigiKey
497-16598-5-ND
Produttore
Codice produttore
SCT50N120
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Foro passante HiP247™
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
SCT50N120 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
122 nC @ 20 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+25V, -10V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1900 pF @ 400 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
318W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
HiP247™
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
69mohm a 40A, 20V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MSC040SMA120BMicrochip Technology15MSC040SMA120B-ND€ 20,59000Simile
In magazzino: 230
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 24,94000€ 24,94
30€ 16,11667€ 483,50
120€ 14,34208€ 1 721,05
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 24,94000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 30,42680