SCT30N120 STMicroelectronics | FET, MOSFET singoli

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SCT30N120
Codice DigiKey	497-14960-ND
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT30N120
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 40 A (Tc) 270W (Tc) Foro passante HiP247™
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCT30N120 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,6V a 1mA (tip.)
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 105 nC @ 20 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) +25V, -10V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 200°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore HiP247™
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore/involucro TO-247-3
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 20A, 20V	Codice componente base SCT30

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXFH50N85X	IXYS	572	IXFH50N85X-ND	€ 18,73000	Simile
MSC080SMA120B	Microchip Technology	128	MSC080SMA120B-ND	€ 10,88000	Simile

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