Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 10.736 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

Canale N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-4-1

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IPM018N10NM5LF2AUMA1
Codice DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Descrizione	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 100A, 15V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,45V a 240µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 178 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 14000 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 349W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30A (Ta), 285A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOG-4-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V, 15V	Contenitore/involucro 4-PowerSFN