Name: IAUMN10S5N017GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND
Price: 4.1846 EUR
Availability: InStock

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IAUMN10S5N017GAUMA1
Codice DigiKey	448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUMN10S5N017GAUMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200A (Tj) 307W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUMN10S5N017GAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 215µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 170 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12514 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 307W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore PG-HSOG-4-1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 100A, 10V	Contenitore/involucro 4-PowerSFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,71425	€ 3 428,50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,18460

IAUMN10S5N017GAUMA1