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SP8M51FRATB | |
|---|---|
Codice DigiKey | SP8M51FRATBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SP8M51FRATBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SP8M51FRATBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SP8M51FRATB |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 3 A (Ta), 2.5 A (Ta) 2W A montaggio superficiale 8-SOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SP8M51FRATB Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3 A (Ta), 2.5 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 170mohm a 3A, 10V, 290mohm a 2.5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8.5nC a 5V, 12.5nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 610pF a 10V, 1550pF a 25V | |
Potenza - Max | 2W | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOP | |
Codice componente base |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,17000 | € 2,17 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,63856 | € 1 596,40 |
| 5 000 | € 0,62974 | € 3 148,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,17000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,64740 |
Italia