
SP8M51HZGTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | 846-SP8M51HZGTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SP8M51HZGTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SP8M51HZGTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SP8M51HZGTB |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 3 A (Ta), 2.5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3 A (Ta), 2.5 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 170mohm a 3A, 10V, 290mohm a 2.5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8.5nC a 5V, 12.5nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 610pF a 25V, 1550pF a 25V | |
Potenza - Max | 2W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOP | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,06000 | € 2,06 |
| 10 | € 1,32300 | € 13,23 |
| 100 | € 0,90220 | € 90,22 |
| 500 | € 0,72224 | € 361,12 |
| 1 000 | € 0,70698 | € 706,98 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,60177 | € 1 504,42 |
| 5 000 | € 0,57760 | € 2 888,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,06000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,51320 |

