Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 6.1854 EUR
Availability: InStock

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SCT2H12NWBTL1
Codice DigiKey	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCT2H12NWBTL1
Descrizione	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 3,9 A (Tc) 39W (Tc) A montaggio superficiale TO-263CA-7LSHYAD
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 1,1A, 18V
Vgs(th) max a Id	4V a 410µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	24 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	197 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	39W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263CA-7LSHYAD
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA