Name: RSR010N10HZGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSR010N10HZGTLTR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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RSR010N10HZGTL
Codice DigiKey	846-RSR010N10HZGTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RSR010N10HZGTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RSR010N10HZGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSR010N10HZGTL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.5 nC @ 5 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 140 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore del fornitore TSMT3
RDSon (max) a Id, Vgs 520mohm a 1A, 10V	Contenitore/involucro SC-96
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA	Codice componente base RSR010

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)