Name: SQS481ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS481ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.7324 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SQS481ENW-T1_GE3
Codice DigiKey	SQS481ENW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQS481ENW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQS481ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQS481ENW-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 4,7 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQS481ENW-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 385 pF @ 75 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 62,5W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,7 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
RDSon (max) a Id, Vgs 1,095ohm a 5A, 10V	Codice componente base SQS481
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA