RSD221N06TL è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Canale N 60 V 22 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
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RSD221N06TL

Codice DigiKey
RSD221N06TL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RSD221N06TL
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 22 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Data di acquisto finale
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 10 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
CPT3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
26mohm a 22A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (9)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
RD3P200SNTL1Rohm Semiconductor0RD3P200SNTL1CT-ND€ 2,63000Consigliato dal produttore
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,57851€ 1 446,27
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,57851
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,70578