Name: IRLR3105TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3105TRPBFTR-ND
Price: 2.2082 EUR
Availability: InStock

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IRLR3105TRPBF
Codice DigiKey	IRLR3105TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLR3105TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLR3105TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR3105TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 25 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 710 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base IRLR3105
RDSon (max) a Id, Vgs 37mohm a 15A, 10V

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Sostituti (11)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD30N10S3L34ATMA1	Infineon Technologies	23 958	IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND	€ 2,10000	Simile
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STD20NF06LAG	STMicroelectronics	1 560	497-17143-1-ND	€ 1,28000	Diretto
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Nastrato in bobina (TR)