Name: RS7P200BMTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7P200BMTB1TR-ND
Price: 5.5632 EUR
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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RS7P200BMTB1
Codice DigiKey	846-RS7P200BMTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RS7P200BMTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RS7P200BMTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS7P200BMTB1
Descrizione	NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200 A (Tc) 3,6W (Ta), 217W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 105 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7800 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 217W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Tc)	Contenitore del fornitore DFN5060-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 50A, 10V