Name: RY7P250BMTBC
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RY7P250BMTBCTR-ND
Price: 8.723 EUR
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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RY7P250BMTBC
Codice DigiKey	846-RY7P250BMTBCTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RY7P250BMTBCCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RY7P250BMTBCDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RY7P250BMTBC
Descrizione	NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 250A (Ta), 300A (Tc) 340W (Tc) A montaggio superficiale DFN8080T8LSHAAI
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	250A (Ta), 300A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,86mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15900 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	340W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN8080T8LSHAAI
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN