Name: RQ3G100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G100GNTBTR-ND
Price: 0.8906 EUR
Availability: InStock

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RQ3G100GNTB
Codice DigiKey	RQ3G100GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3G100GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3G100GNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 10 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3G100GNTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.4 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Non per nuovi progetti	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 615 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 14,3mohm a 10A, 10V	Codice componente base RQ3G100

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PJQ4448P_R2_00001	Panjit International Inc.	15	3757-PJQ4448P_R2_00001CT-ND	€ 0,66000	Simile

In magazzino: 48 879

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,89060

RQ3G100GNTB