Name: RD3P200SNFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P200SNFRATLTR-ND
Price: 4.0748 EUR
Availability: InStock

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RD3P200SNFRATL
Codice DigiKey	RD3P200SNFRATLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RD3P200SNFRATLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RD3P200SNFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3P200SNFRATL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 20 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RD3P200SNFRATL Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore del fornitore TO-252
RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA	Codice componente base RD3P200