Name: RD3G03BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G03BATTL1TR-ND
Price: 2.2692 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

RD3G03BATTL1
Codice DigiKey	846-RD3G03BATTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RD3G03BATTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RD3G03BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3G03BATTL1
Descrizione	PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 35 A (Tc) 56W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RD3G03BATTL1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 20 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 19,1mohm a 35A, 10V	Codice componente base RD3G03