Canale N 100 V 90 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Canale N 100 V 90 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD068N10N3GATMA1

Codice DigiKey
IPD068N10N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPD068N10N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPD068N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPD068N10N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 90 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD068N10N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6,8mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 90µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4910 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,65000€ 2,65
10€ 1,71800€ 17,18
100€ 1,18260€ 118,26
500€ 0,95388€ 476,94
1 000€ 0,88185€ 881,85
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,72047€ 1 801,18
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,65000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,23300