Canale N 600 V 15 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
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Canale N 600 V 15 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6015KNJTL

Codice DigiKey
R6015KNJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
R6015KNJTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
R6015KNJTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6015KNJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6015KNJTL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
290mohm a 6,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1050 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
184W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
R6015
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,08000€ 3,08
10€ 2,01300€ 20,13
100€ 1,40550€ 140,55
500€ 1,14614€ 573,07
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,06281€ 1 062,81
2 000€ 1,00260€ 2 005,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,08000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,75760