Name: FQB34N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQB34N20LTMTR-ND
Price: 5.0508 EUR
Availability: InStock

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FQB34N20LTM
Codice DigiKey	FQB34N20LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB34N20LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB34N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB34N20LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 31 A (Tc) 3,13W (Ta), 180W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQB34N20LTM Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,13W (Ta), 180W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FQB34N20
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 15,5A, 10V