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R6018JNJGTL | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6018JNJGTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) R6018JNJGTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) R6018JNJGTLDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | R6018JNJGTL |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 18A LPTS |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 18 A (Tc) 220W (Tc) A montaggio superficiale LPTS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 7V a 4,2mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 15 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 220W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore LPTS |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 286 mohm a 9A, 15V | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 230 | SIHB15N60E-GE3-ND | € 3,76000 | Simile |
| STB18N65M5 | STMicroelectronics | 660 | 497-13083-1-ND | € 3,34000 | Simile |
In magazzino: 490
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,74000 | € 4,74 |
| 10 | € 3,14900 | € 31,49 |
| 100 | € 2,24870 | € 224,87 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 2,01988 | € 2 019,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,74000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,78280 |
