



R6007ENX | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6007ENX-ND |
Produttore | |
Codice produttore | R6007ENX |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6007ENX Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Confezionamento Sfuso | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 390 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220FM |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 620mohm a 2,4A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 10 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | € 1,75000 | Simile |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | € 4,36000 | Simile |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK8A65WS5X-ND | € 2,30000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,91000 | € 2,91 |
| 10 | € 1,89600 | € 18,96 |
| 100 | € 1,31480 | € 131,48 |
| 500 | € 1,06636 | € 533,18 |
| 1 000 | € 0,98656 | € 986,56 |
| 2 000 | € 0,91947 | € 1 838,94 |
| 5 000 | € 0,85027 | € 4 251,35 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,91000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,55020 |

