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IPAN65R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPAN65R650CEXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPAN65R650CEXKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 650mohm a 2,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 210µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 440 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | PG-TO220-FP | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 16
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,40000 | € 1,40 |
| 50 | € 0,66520 | € 33,26 |
| 100 | € 0,59350 | € 59,35 |
| 500 | € 0,46762 | € 233,81 |
| 1 000 | € 0,42710 | € 427,10 |
| 2 000 | € 0,39302 | € 786,04 |
| 5 000 | € 0,35614 | € 1 780,70 |
| 10 000 | € 0,35358 | € 3 535,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,70800 |
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