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IMB2AT110
Rohm Semiconductor
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Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 300mW A montaggio superficiale SMT6
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IMB2AT110

Codice DigiKey
846-IMB2AT110TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
IMB2AT110
Descrizione
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT6
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 300mW A montaggio superficiale SMT6
Scheda tecnica
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IMB2AT110 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
2 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kohm
Resistore - Base emettitore (R2)
47kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
68 a 5mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 500µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SC-74, SOT-457
Contenitore del fornitore
SMT6
Codice componente base
IMB2
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,11049€ 331,47
6 000€ 0,10067€ 604,02
9 000€ 0,09567€ 861,03
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Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,13480