GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

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GNP1070TC-ZE2
Codice DigiKey	846-GNP1070TC-ZE2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-GNP1070TC-ZE2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-GNP1070TC-ZE2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	GNP1070TC-ZE2
Descrizione	ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 20 A (Tc) 56W (Tc) A montaggio superficiale DFN8080K
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 5,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	98mohm a 1,9A, 5,5V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 18mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.2 nC @ 6 V
Vgs (max)	+6V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	200 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	56W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN8080K
Contenitore/involucro	8-PowerDFN
Codice componente base	GNP1070