Canale N 650 V 7A A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
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CGD65B240SH2

Codice DigiKey
4768-CGD65B240SH2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
4768-CGD65B240SH2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
4768-CGD65B240SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Cambridge GaN Devices
Codice produttore
CGD65B240SH2
Descrizione
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 7A A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Cambridge GaN Devices
Serie
ICeGaN™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
12V
RDSon (max) a Id, Vgs
336mohm a 500mA, 12V
Vgs(th) max a Id
4,2V a 2,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.2 nC @ 12 V
Vgs (max)
+20V, -1V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-DFN (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
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In magazzino: 4 562
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,62000€ 4,62
10€ 3,07500€ 30,75
100€ 2,20110€ 220,11
500€ 2,12242€ 1 061,21
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 1,73401€ 8 670,05
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,62000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,63640
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