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IPP12CN10LGXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPP12CN10LGXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP12CN10LGXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 69 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP12CN10LGXKSA1 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 83µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 58 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5600 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 69A, 10V |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | 977 | 448-IPP129N10NF2SAKMA1-ND | € 1,75000 | Consigliato dal produttore |
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 1 028 | 296-38676-5-ND | € 1,85000 | Simile |
| FDP100N10 | onsemi | 467 | FDP100N10-ND | € 3,80000 | Simile |
| FDP120N10 | onsemi | 775 | FDP120N10-ND | € 2,80000 | Simile |
| FDP150N10 | onsemi | 0 | FDP150N10-ND | € 2,90000 | Simile |
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