Canale N 100 V 10 A (Tc) 49W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
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HUFA76609D3ST_NL

Codice DigiKey
2156-HUFA76609D3ST_NL-ND
Produttore
Fairchild Semiconductor
Codice produttore
HUFA76609D3ST_NL
Descrizione
N-CHANNEL POWER MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 10 A (Tc) 49W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
160mohm a 10A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±16V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
425 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
49W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252 (DPAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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