Canale N 500 V 9 A (Tc) 173W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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FQB9N50CFTM

Codice DigiKey
2156-FQB9N50CFTM-FSTR-ND
Produttore
Fairchild Semiconductor
Codice produttore
FQB9N50CFTM
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 9 A (Tc) 173W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Fairchild Semiconductor
Serie
FRFET®
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
850mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1030 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
173W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
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