Canale N 30 V 9 A (Ta) 1,47W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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FDS6692A

Codice DigiKey
2156-FDS6692A-ND
Produttore
Fairchild Semiconductor
Codice produttore
FDS6692A
Descrizione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 9 A (Ta) 1,47W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Fairchild Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1610 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,47W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
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