
TP65H150G4LSG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1707-TP65H150G4LSG-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | TP65H150G4LSG |
Descrizione | GAN FET N-CH 650V PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TP65H150G4LSG Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 180mohm a 8,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,8V a 500µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 598 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 3-PQFN (8x8) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,37000 | € 4,37 |
| 10 | € 3,92200 | € 39,22 |
| 100 | € 3,21350 | € 321,35 |
| 500 | € 2,73558 | € 1 367,79 |
| 1 000 | € 2,30712 | € 2 307,12 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 1,94333 | € 5 829,99 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,37000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,33140 |







