Name: GAN039-650NBBHP
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN039-650NBBHPTR-ND
Price: 15.677 EUR
Availability: InStock

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GAN039-650NBBHP
Codice DigiKey	1727-GAN039-650NBBHPTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-GAN039-650NBBHPCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-GAN039-650NBBHPDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN039-650NBBHP
Descrizione	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale CCPAK1212
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,6V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1980 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 58,5A (Tc)	Contenitore del fornitore CCPAK1212
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 12-BESOP (larghezza 0,370", 9,40mm), piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 39mohm a 32A, 10V