Name: TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4RS-TR-ND
Price: 8.845 EUR
Availability: InStock

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TP65H070G4RS-TR
Codice DigiKey	1707-TP65H070G4RS-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H070G4RS-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H070G4RS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H070G4RS-TR
Descrizione	650 V 29 A GAN FET
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale TOLT
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 18A, 10V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) max a Id 4,8V a 700µA
Serie SuperGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 638 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLT
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP