Name: TP65H030G4PRS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PRS-TR-ND
Price: 11.041 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale TOLT

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TP65H030G4PRS-TR
Codice DigiKey	1707-TP65H030G4PRS-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H030G4PRS-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H030G4PRS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H030G4PRS-TR
Descrizione	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale TOLT
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,8V a 1mA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24.5 nC @ 12 V
Serie SuperGaN®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 192W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore TOLT
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 55,7A (Tc)	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 12V	Codice componente base TP65H030
RDSon (max) a Id, Vgs 41mohm a 30A, 12V