Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 3.2086 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Canale N 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)

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RBE029N10R1SZN6#HB0
Codice DigiKey	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	RBE029N10R1SZN6#HB0
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 109µA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 91 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6500 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 160 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DFN (4,9x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 2,9mohm a 80A, 10V