Name: RBE015N10R1SZPV#GB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND
Price: 5.612 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Canale N 100 V 340 A (Tc) 468W (Tc) A montaggio superficiale TOLG

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RBE015N10R1SZPV#GB0
Codice DigiKey	559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 559-RBE015N10R1SZPV#GB0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 559-RBE015N10R1SZPV#GB0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	RBE015N10R1SZPV#GB0
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 340A TOLG
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 340 A (Tc) A montaggio superficiale TOLG
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 170 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13000 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 468W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 340 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLG
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSMD, ad ala di gabbiano
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 100A, 10V