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RBE020N04R0SZN6#HB0 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RBE020N04R0SZN6#HB0 |
Descrizione | POWER:POWER MOSFETS |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 83 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4160 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-DFN (4,9x5,75) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 50A, 10V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RBA100N04DANS-4UB02#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBA100N04DANS-4UB02#HB0TR-ND | € 0,37034 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,43192 | € 2 159,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,43192 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,52694 |
