Equivalente parametrico

RBA100N04DANS-4UB02#HB0 | |
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Codice DigiKey | 559-RBA100N04DANS-4UB02#HB0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RBA100N04DANS-4UB02#HB0 |
Descrizione | RBA100N04DANS-4UB02#HB0 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 83 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4160 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore del fornitore 8-DFN (4,9x5,75) |
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 50A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RBE020N04R0SZN6#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND | € 0,37658 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,37034 | € 1 851,70 |
| 10 000 | € 0,35802 | € 3 580,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,37034 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,45181 |


