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Renesas Electronics Corporation
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Prezzo unitario : € 0,37658
Scheda tecnica
Novità in DigiKey
Canale N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
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RBA100N04DANS-4UB02#HB0

Codice DigiKey
559-RBA100N04DANS-4UB02#HB0TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RBA100N04DANS-4UB02#HB0
Descrizione
RBA100N04DANS-4UB02#HB0
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
83 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4160 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore del fornitore
8-DFN (4,9x5,75)
RDSon (max) a Id, Vgs
2mohm a 50A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
RBE020N04R0SZN6#HB0Renesas Electronics Corporation0559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND€ 0,37658Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,37034€ 1 851,70
10 000€ 0,35802€ 3 580,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,37034
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,45181