Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.538 EUR
Availability: InStock

Canale P 30 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSON

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NP75P03YDG-E1-AY
Codice DigiKey	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	NP75P03YDG-E1-AY
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSON
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NP75P03YDG-E1-AY Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 141 nC @ 10 V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4800 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 138W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Contenitore del fornitore 8-HSON
RDSon (max) a Id, Vgs 6,2mohm a 37,5A, 10V	Contenitore/involucro 8-SMD, tampone esposto conduttore piatto
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base NP75P03