Name: NTMFS002P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS002P03P8ZT1GTR-ND
Price: 3.782 EUR
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

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NTMFS002P03P8ZT1G
Codice DigiKey	488-NTMFS002P03P8ZT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS002P03P8ZT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFS002P03P8ZT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS002P03P8ZT1G
Descrizione	MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 40,2A (Ta), 263A (Tc) 3,3W (Ta), 138,9W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 217 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 14950 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 138,9W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40,2A (Ta), 263A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4mohm a 23A, 10V	Codice componente base NTMFS002