Name: PJQ1916_R1_00201
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ1916_R1_00201TR-ND
Price: 0.4636 EUR
Availability: InStock

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PJQ1916_R1_00201
Codice DigiKey	3757-PJQ1916_R1_00201TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJQ1916_R1_00201CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJQ1916_R1_00201DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ1916_R1_00201
Descrizione	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 950mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	950mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	300mohm a 500mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	46 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-UFDFN
Codice componente base	PJQ1916

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Nastrato in bobina (TR)