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SI4435DY | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4435DYFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4435DYFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SI4435DY |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 8,8 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4435DY Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 20mohm a 8,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 24 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1604 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 27 444
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,32000 | € 1,32 |
| 10 | € 0,83400 | € 8,34 |
| 100 | € 0,55540 | € 55,54 |
| 500 | € 0,43602 | € 218,01 |
| 1 000 | € 0,39757 | € 397,57 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,35598 | € 889,95 |
| 5 000 | € 0,33027 | € 1 651,35 |
| 7 500 | € 0,31718 | € 2 378,85 |
| 12 500 | € 0,31319 | € 3 914,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,32000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,61040 |
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