MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 244W (Tj) Montaggio su telaio 34-PIM (56,7x42,5)
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NXH011F120M3F2PTHG

Codice DigiKey
5556-NXH011F120M3F2PTHG-ND
Produttore
Codice produttore
NXH011F120M3F2PTHG
Descrizione
MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 244W (Tj) Montaggio su telaio 34-PIM (56,7x42,5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Vassoio
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
4 canale N (ponte intero)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
105 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 100A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,4V a 60mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
284nC a 18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6211,6pF a 800V
Potenza - Max
244W (Tj)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
34-PIM (56,7x42,5)
Codice componente base
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