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NXH008P120M3F1PTG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 5556-NXH008P120M3F1PTG-ND |
Produttore | |
Codice produttore | NXH008P120M3F1PTG |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 145A |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,4V a 60mA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 419nC a 18V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8334pF a 800V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 382W (Tj) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore/involucro Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 145 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 10,9mohm a 120A, 18V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH008P120M3F1PG | onsemi | 44 | 5556-NXH008P120M3F1PG-ND | € 90,38000 | Equivalente parametrico |
In magazzino: 2
Scorte di fabbrica: 16 240
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 88,38000 | € 88,38 |
| 28 | € 69,44893 | € 1 944,57 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 88,38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 107,82360 |
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