Name: NVMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H858NLT1GTR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: InStock

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NVMFS6H858NLT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS6H858NLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS6H858NLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS6H858NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS6H858NLT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 8,7A (Ta), 30A (Tc) 3,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 623 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,5W (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,7A (Ta), 30A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 19,5mohm a 5A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2V a 30µA	Codice componente base NVMFS6