Name: NVMFS5C604NLAFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C604NLAFT1GOSTR-ND
Price: 7.503 EUR
Availability: InStock

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NVMFS5C604NLAFT1G
Codice DigiKey	NVMFS5C604NLAFT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFS5C604NLAFT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFS5C604NLAFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS5C604NLAFT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 287 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMFS5C604NLAFT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 52 nC @ 4.5 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8900 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 287 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA	Codice componente base NVMFS5