
NVMD4N03R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-NVMD4N03R2GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMD4N03R2GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMD4N03R2GDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVMD4N03R2G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 4A 2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NVMD4N03R2G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 60mohm a 4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400pF a 20V | |
Potenza - Max | 2W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,64000 | € 1,64 |
| 10 | € 1,04500 | € 10,45 |
| 100 | € 0,70390 | € 70,39 |
| 500 | € 0,55776 | € 278,88 |
| 1 000 | € 0,51709 | € 517,09 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,45987 | € 1 149,67 |
| 5 000 | € 0,42843 | € 2 142,15 |
| 7 500 | € 0,42246 | € 3 168,45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,64000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,00080 |

