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NTMD4N03R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTMD4N03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMD4N03R2G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 4A 2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMD4N03R2G Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 16nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400pF a 20V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 4A, 10V |
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In magazzino: 14 404
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,07000 | € 1,07 |
| 10 | € 0,67300 | € 6,73 |
| 100 | € 0,44230 | € 44,23 |
| 500 | € 0,34314 | € 171,57 |
| 1 000 | € 0,31120 | € 311,20 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,25852 | € 646,30 |
| 5 000 | € 0,23854 | € 1 192,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,07000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,30540 |
